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      • HCJDCS-A高頻介電常數介質損耗測試儀
        HCJDCS-A高頻介電常數介質損耗測試儀

        更新時間:2023-08-22

        型號:HCJDCS-A

        瀏覽量:1355

        高頻介電常數介質損耗測試儀能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。主要用于測量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號下的介損、介電常數。
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      • Huace-991導電防靜電材料體積電阻率測試儀
        Huace-991導電防靜電材料體積電阻率測試儀

        更新時間:2024-08-30

        型號:Huace-991

        瀏覽量:1532

        導電防靜電材料體積電阻率測試儀: 在測量導電材料電阻率若采用三電極或二電極測量時會因為電極與被測量材料表面電阻而影響測量準確性,本裝置采用四電極(四點探針或四探針)法測量導電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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      • Huace-991導電塑料體積電阻率試驗儀器
        Huace-991導電塑料體積電阻率試驗儀器

        更新時間:2023-12-19

        型號:Huace-991

        瀏覽量:1561

        導電塑料體積電阻率試驗儀器: 在測量導電材料電阻率若采用三電極或二電極測量時會因為電極與被測量材料表面電阻而影響測量準確性,本裝置采用四電極(四點探針或四探針)法測量導電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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      • 高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器
        高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器

        更新時間:2023-12-01

        型號:

        瀏覽量:1786

        操控性好高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器,該系統可以測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻,該設備按照單晶硅物理測試方法標準設計的。
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      • 精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV
        精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV

        更新時間:2023-08-29

        型號:

        瀏覽量:2321

        精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV: 1、采用超低紋波系數高壓直流電源,保證測試電壓的穩定度。 2、采用保障試驗人員及試驗設備的; 3、采用吉時利6585皮安表采集電流,采集精度高,量程自動跟隨與切換,可以實時采集電壓、電流、電阻曲線; 4、具備升壓、恒壓等功能于一體,對于研究常溫與高溫下材料的電阻率極為方便
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      • 高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測
        高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測

        更新時間:2023-08-29

        型號:

        瀏覽量:2482

        高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測采集范圍: ●GB/T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗方法 ●DL/T 810-2002 ±500kV直流棒形懸式復合絕緣子技術條件
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      • 時間自由設定高溫直流電阻率測試系統
        時間自由設定高溫直流電阻率測試系統

        更新時間:2023-08-29

        型號:

        瀏覽量:2305

        時間自由設定高溫直流電阻率測試系統設備優勢: 1、采用超低紋波系數高壓直流電源,保證測試電壓的穩定度。 2、保障試驗人員及試驗設備的; 3、采用吉時利6585皮安表采集電流,采集精度高,量程自動跟隨與切換,可以實時采集電壓、電流、電阻曲線; 4、具備升壓、恒壓等功能于一體,對于研究常溫與高溫下材料的電阻率極為方便;
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      • 自動歸零高溫直流電阻率測試系統
        自動歸零高溫直流電阻率測試系統

        更新時間:2024-06-13

        型號:

        瀏覽量:2341

        自動歸零高溫直流電阻率測試系統適合范圍: ●GB/T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗方法 ●DL/T 810-2002 ±500kV直流棒形懸式復合絕緣子技術條件
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